HD高容系列

硅电容

产品概述： 广泛应用于算力芯片和先进封装领域。最高容值密度3500nF/mm²，超薄硅片厚度55μm，极低ESR与ESL。 产品优势： 1. 惊人的容值密度：全新一代的硅电容架构设计，使得单位面积的容值密度最高可攀升至 3500nF/mm²。 2. 极限寄生参数抑制：等效串联电阻 (ESR) < 0.9mΩ/mm²，等效串联电感 (ESL) < 0.4pH/mm²，保障高频信号完整性。 3. 先进封装级薄型化：硅片厚度被极限压缩至仅 55μm，提供极高的芯片封装顶层工艺灵活性。