PRODUCT DETAIL

1.25

屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

1.25 1.25

1.25

Salltech萨瑞微

量产

1.25

Vds: 360V ID: 12N10A

主要封装 / 规格1.45

Vds360V

Rds Vgs=10V Typ14200mΩ

Rds Vgs=10V Max4000mΩ

ID12N10A

查询现货询价

Type 4

Vds 360V

Vgs 500

Rds Vgs=10V Typ 14200mΩ

Rds Vgs=10V Max 4000mΩ

VGS(th) Min 935V

VGS Max 1806V

ID 12N10A

PD SG12NE8TLW

Dynamic Ciss TOLLpF

Dynamic Crss SNpF

Dynamic Rg 85Ω

EAS ±20mJ

IAS 1.2A

Marking 1.6

Package 1.45