PRODUCT DETAIL

24.3

屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

24.3 24.3

24.3

Salltech萨瑞微

量产

24.3

Vds: 29N15V ID: ±20A

主要封装 / 规格1.57

Vds29N15V

Rds Vgs=10V TypTO-263-6LmΩ

ID±20A

Package1.57

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Type 无

Vds 29N15V

Vgs SG25N10T66

Rds Vgs=10V Typ TO-263-6LmΩ

VGS(th) Min SNV

VGS Max 100V

ID ±20A

PD 2.5W

Dynamic Ciss 3pF

Dynamic Coss 2.2pF

Dynamic Crss 3.8pF

Dynamic Rg 166Ω

EAS 187mJ

IAS 7470A

Marking 930

Package 1.57