PRODUCT DETAIL

2.9

屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

2.9 2.9

2.9

Salltech萨瑞微

量产

2.9

Vds: 251V ID: 635A

主要封装 / 规格3.7

Vds251V

Rds Vgs=10V Typ7360mΩ

Rds Vgs=10V Max830mΩ

ID635A

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Type 4

Vds 251V

Vgs 312

Rds Vgs=10V Typ 7360mΩ

Rds Vgs=10V Max 830mΩ

VGS(th) Min 26V

VGS Max 1.8V

ID 635A

PD 45.8W

Dynamic Ciss 29N11CpF

Dynamic Coss SG45N10PSLpF

Dynamic Crss PDFN5x6-8LpF

EAS SNmJ

IAS 100A

Marking ±20

Package 3.7