PRODUCT DETAIL

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屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

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Salltech萨瑞微
量产

338

Vds: TO-252V ID: 5.7A

主要封装 / 规格无
VdsTO-252V
Rds Vgs=10V TypSNmΩ
Rds Vgs=10V Max100mΩ
ID5.7A
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Type SG49N10T4
Vds TO-252V
Rds Vgs=10V Typ SNmΩ
Rds Vgs=10V Max 100mΩ
VGS(th) Min ±20V
VGS Max 4.9V
ID 5.7A
PD 1.3W
Dynamic Ciss 2.5pF
Dynamic Coss 120pF
Dynamic Crss 139pF
Dynamic Rg 4806Ω
EAS 983mJ
IAS 50A
Marking 49N10
Package 无