PRODUCT DETAIL

3.4

屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

3.4 3.4

3.4

Salltech萨瑞微

量产

3.4

Vds: 198V ID: 524A

主要封装 / 规格4

Vds198V

Rds Vgs=10V Typ8320mΩ

Rds Vgs=10V Max2100mΩ

ID524A

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Type 4

Vds 198V

Vgs 223

Rds Vgs=10V Typ 8320mΩ

Rds Vgs=10V Max 2100mΩ

VGS(th) Min 611V

VGS Max 1.3(TYPE)V

ID 524A

PD 45.8W

Dynamic Ciss 34N11CpF

Dynamic Coss SG29N11TL-CpF

Dynamic Crss TOLLpF

EAS SNmJ

IAS 110A

Marking ±20

Package 4