PRODUCT DETAIL

48.6

屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

48.6 48.6

48.6

Salltech萨瑞微

量产

48.6

Vds: nullV ID: 2.5A

主要封装 / 规格19N10C

VdsnullV

Rds Vgs=10V Typ100mΩ

Rds Vgs=10V Max±20mΩ

ID2.5A

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Type TOLL

Vds nullV

Vgs SN

Rds Vgs=10V Typ 100mΩ

Rds Vgs=10V Max ±20mΩ

VGS(th) Min 1.1V

VGS Max 1.4V

ID 2.5A

PD 4.1W

Dynamic Ciss 390pF

Dynamic Coss 430pF

Dynamic Crss 12000pF

Dynamic Rg 3000Ω

EAS 128mJ

IAS 1.7A

Marking 2626

Package 19N10C