PRODUCT DETAIL

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屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

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Salltech萨瑞微
量产

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Vds: 45NE8V ID: ±20A

主要封装 / 规格1
Vds45NE8V
Rds Vgs=10V TypTO-263mΩ
ID±20A
Package1
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Type 25
Vds 45NE8V
Vgs SG45NE8T6
Rds Vgs=10V Typ TO-263mΩ
VGS(th) Min SNV
VGS Max 85V
ID ±20A
PD 4.5W
Dynamic Ciss 5.8pF
Dynamic Coss 2pF
Dynamic Crss 4pF
Dynamic Rg 139Ω
EAS 166mJ
IAS 4233A
Marking 714
Package 1