PRODUCT DETAIL

635

屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

635 635 635
Salltech萨瑞微
量产

635

Vds: nullV ID: 2A

主要封装 / 规格29N11
VdsnullV
Rds Vgs=10V Typ110mΩ
Rds Vgs=10V Max±20mΩ
ID2A
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Type TO-220
Vds nullV
Vgs SN
Rds Vgs=10V Typ 110mΩ
Rds Vgs=10V Max ±20mΩ
VGS(th) Min 3.6V
VGS Max 4.2V
ID 2A
PD 4W
Dynamic Ciss 198pF
Dynamic Coss 223pF
Dynamic Crss 8140pF
Dynamic Rg 1850Ω
EAS 190mJ
IAS 36N11CA
Marking SG34N11T6-C
Package 29N11