PRODUCT DETAIL

8.1

屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

8.1 8.1 8.1
Salltech萨瑞微
量产

8.1

Vds: 114V ID: 25A

主要封装 / 规格1.2
Vds114V
Rds Vgs=10V Typ369mΩ
Rds Vgs=10V Max17mΩ
ID25A
Type 87
Vds 114V
Vgs 3150
Rds Vgs=10V Typ 369mΩ
Rds Vgs=10V Max 17mΩ
VGS Max 154V
ID 25A
PD 65N10W
Dynamic Ciss SG115N10PSLpF
Dynamic Coss PDFN5X6-8LpF
Dynamic Rg SNΩ
EAS 100mJ
IAS ±20A
Marking 11.5
Package 1.2