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SC800N120T6-7D

碳化硅MOS (SiC MOSFET)

SC800N120T6-7D SC800N120T6-7D

SC800N120T6-7D

Salltech萨瑞微

量产

SC800N120T6-7D

V(BR)DSS: 1200V ID: 26A

主要封装 / 规格TO-263-7L-DBC

V(BR)DSS1200V

Rds(on)@25°C80mΩ

ID@25°C26A

PackageTO-263-7L-DBC

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V(BR)DSS 1200V

Rds(on)@25°C 80mΩ

ID@25°C 26A

Qgd 13.5nC

Coss 85pF

Max Junction Temperature 175℃

Package TO-263-7L-DBC

Rds(on)@25℃ 80mΩ

ID@25℃ 26A