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SC990N120T6-7

碳化硅MOS (SiC MOSFET)

SC990N120T6-7 SC990N120T6-7

SC990N120T6-7

Salltech萨瑞微

量产

SC990N120T6-7

V(BR)DSS: 1200V ID: 20A

主要封装 / 规格TO-263-7

V(BR)DSS1200V

Rds(on)@25°C99mΩ

ID@25°C20A

PackageTO-263-7

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V(BR)DSS 1200V

Rds(on)@25°C 99mΩ

ID@25°C 20A

Qgd 6nC

Coss 62pF

Max Junction Temperature 175℃

Package TO-263-7

Rds(on)@25℃ 99mΩ

ID@25℃ 20A