PRODUCT DETAIL

SG27N10T6-C

屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

SG27N10T6-C SG27N10T6-C

SG27N10T6-C

Salltech萨瑞微

量产

SG27N10T6-C

Vds: 100V ID: 190A

主要封装 / 规格TO-263

Vds100V

Rds Vgs=10V Typ2.7Ω

Rds Vgs=10V Max3.4Ω

ID190A

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Type SN

Vds 100V

Vgs ±20V

Rds Vgs=10V Typ 2.7Ω

Rds Vgs=10V Max 3.4Ω

VGS(th) Min 2V

VGS Max 4V

ID 190A

PD 250W

Dynamic Ciss 7470pF

Dynamic Coss 930pF

Dynamic Crss 50pF

Dynamic Rg 2.5Ω

EAS 245mJ

IAS 70A

Marking 27N10C

Package TO-263