PRODUCT DETAIL

SG27N10T6

屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

SG27N10T6 SG27N10T6 SG27N10T6
Salltech萨瑞微
量产

SG27N10T6

Vds: 100V ID: 218A

主要封装 / 规格TO-263
Vds100V
Rds Vgs=10V Typ2.8Ω
Rds Vgs=10V Max3.6Ω
ID218A
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Type SN
Vds 100V
Vgs ±20V
Rds Vgs=10V Typ 2.8Ω
Rds Vgs=10V Max 3.6Ω
VGS(th) Min 2.2V
VGS Max 3.8V
ID 218A
PD 227W
Dynamic Ciss 8320pF
Dynamic Coss 2100pF
Dynamic Crss 310pF
Dynamic Rg 1.5Ω
EAS 524mJ
IAS 45.8A
Marking 27N10T6
Package TO-263