PRODUCT DETAIL

SG27NE8T6

屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET

SG27NE8T6 SG27NE8T6

SG27NE8T6

Salltech萨瑞微

量产

SG27NE8T6

Vds: 85V ID: 216A

主要封装 / 规格TO-263

Vds85V

ID216A

Rds Vgs=10V Typ2.75Ω

Rds Vgs=10V Max3.6Ω

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Type SN

Vds 85V

ID 216A

Rds Vgs=10V Typ 2.75Ω

Rds Vgs=10V Max 3.6Ω

Vgs ±20V

VGS(th) Min 2.2V

VGS(th) Max 3.8V

PD 227W

Dynamic Ciss 8272pF

Dynamic Coss 1233pF

Dynamic Crss 190pF

Dynamic Rg 1.5Ω

EAS 430mJ

IAS 41.5A

Marking 27NE8T6

Package TO-263

VGS Max 3.8V