PRODUCT DETAIL

K2M390065-D

碳化硅MOSFET

K2M390065-D 功率器件 K2M390065-D
SGKS森国科
量产

功率器件

产品概述： 碳化硅MOSFET分立器件适用于硬开关和谐振开关拓扑如功率因数校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器等。 其抵御有害寄生导通效应的出色能力，树立了低动态损耗方面的标杆，即使在桥接拓扑中的零伏关断电压下也是如此。 1200 V碳化硅MOSFET系列适用于工业领域，如工业电源、充电桩电源模组和不间断电源(UPS)。

主要封装 / 规格PDFN5*6
阻断电压 (Blocking Voltage)650V
RDS(ON)在25℃390mΩ
封装形式 (Package)PDFN5*6
额定电流 (Rated Current)8.8A
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阻断电压 (Blocking Voltage) 650V
栅极电荷总数 (Qg) 2.2nC
RDS(ON)在25℃ 390mΩ
输出电容 (Coss) 18pF
耗散功率 (Pd) 40W
最高结温 (Tj_max) 175℃
封装形式 (Package) PDFN5*6
额定电流 (Rated Current) 8.8A