PRODUCT DETAIL
K2M390075-B
碳化硅MOSFET
K2M390075-B
功率器件
产品概述： 碳化硅MOSFET分立器件适用于硬开关和谐振开关拓扑如功率因数校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器等。 其抵御有害寄生导通效应的出色能力，树立了低动态损耗方面的标杆，即使在桥接拓扑中的零伏关断电压下也是如此。 1200 V碳化硅MOSFET系列适用于工业领域，如工业电源、充电桩电源模组和不间断电源(UPS)。
主要封装 / 规格TO-252-3L
阻断电压 (Blocking Voltage)650V
RDS(ON)在25℃390mΩ
封装形式 (Package)TO-252-3L
额定电流 (Rated Current)9A
阻断电压 (Blocking Voltage)
650V
栅极电荷总数 (Qg)
2.2nC
RDS(ON)在25℃
390mΩ
输出电容 (Coss)
18pF
耗散功率 (Pd)
52W
最高结温 (Tj_max)
175℃
封装形式 (Package)
TO-252-3L
额定电流 (Rated Current)
9A