PRODUCT DETAIL

K3J160065F-E

超结MOSFET

K3J160065F-E

SGKS森国科

量产

功率器件

产品概述：森国科SJMOS，采用多次外延的工艺，在8寸硅晶圆片生产制造。超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构，其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。超级结的存在大大突破了硅的理论极限，而且额定电压越高，导通电阻的下降越明显。

主要封装 / 规格TO-263-2L

阻断电压 (Blocking Voltage)650V

导通电阻 (Rds_on)160mΩ

不间断电流 (Continuous Current)22A

封装形式 (Package)TO-263-2L

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阻断电压 (Blocking Voltage) 650V

导通电阻 (Rds_on) 160mΩ

不间断电流 (Continuous Current) 22A

脉冲电流 (Pulsed Current) 66A

栅极总电荷 (Qg) 34nC

封装形式 (Package) TO-263-2L