PRODUCT DETAIL

K3J280065-B

超结MOSFET

K3J280065-B 功率器件 K3J280065-B
SGKS森国科
量产

功率器件

产品概述: 森国科SJMOS,采用多次外延的工艺,在8寸硅晶圆片生产制造。超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构,其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。 超级结的存在大大突破了硅的理论极限,而且额定电压越高,导通电阻的下降越明显。

主要封装 / 规格TO-252-2L
阻断电压 (Blocking Voltage)650V
导通电阻 (Rds_on)280mΩ
不间断电流 (Continuous Current)12.5A
封装形式 (Package)TO-252-2L
阻断电压 (Blocking Voltage) 650V
导通电阻 (Rds_on) 280mΩ
不间断电流 (Continuous Current) 12.5A
脉冲电流 (Pulsed Current) 37.5A
栅极总电荷 (Qg) 21nC
封装形式 (Package) TO-252-2L