PRODUCT DETAIL
KG025N120SD-R
IGBT
功率器件
产品概述: 森国科IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。 IGBT多被工程师们用来进行功率变换,以提高整体的用电效率和质量,因而在电力系统的传输、变换、配送、机车牵引、工业节能及智能电路控制系统等中高压领域中较为常见。 IGBT的出现也给产业解决能源短缺、降低碳排放等问题提供了关键支撑技术之一。
主要封装 / 规格TO-247-3L
封装形式 (Package)TO-247-3L
击穿电压 (V_BR_CES)1200V
集电极电流 (Ic)25A
饱和电压 (V_CE_sat)1.7V
封装形式 (Package)
TO-247-3L
击穿电压 (V_BR_CES)
1200V
集电极电流 (Ic)
25A
饱和电压 (V_CE_sat)
1.7V
阈值电压 (V_GE_th)
6.1V
开启电压 (VF)
2V