PRODUCT DETAIL
KS10065-AI
SiC 二极管
功率器件
产品概述: 使得650V和1200V的肖特基二极管非常适合应用在高频和高效率电源系统。根据不同的应用需求完成了多种形式的封装,从SMA到TO-247以及内绝缘的TO-220封装,也可以与传统Si器件直接做替换,为工程师们提供了极大的灵活性。 产品优势: 1. 卓越物理特性:相比于硅材料,碳化硅材料的带隙约是硅材料的三倍,单位面积阻隔电压的能力(击穿场强)约是硅的7倍,热导率方面是硅的3倍之多,电子漂移速度是硅的2倍左右。 2. 杰出性能表现:具备了杰出的耐高压、高频、高功率、耐高温以及零反向恢复电荷等性能。 3. 高应用灵活性:从SMA到TO-247以及内绝缘的TO-220封装,也可以与传统Si器件直接做替换。
主要封装 / 规格ITO-220-2L
阻断电压 (Vr)650V
额定电流 (IF)10A
总功耗 (Ptot)111W
正向电压 (Vf)1.33V
阻断电压 (Vr)
650V
额定电流 (IF)
10A
总功耗 (Ptot)
111W
正向电压 (Vf)
1.33V
最高结温 (Tj)
175℃
封装形式 (Package)
ITO-220-2L
代系 (Generation)
第五代