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按器件类型、二级分类、合作品牌和应用方向快速定位产品,查看产品特点、关键参数和技术资料。
| 型号 / 产品 | 品牌 | 产品分类 | 二级分类 | 产品状态 | 关键参数 | 典型应用 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SN SN | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 110 Vds:4.2V Rds Vgs=10V Typ:4Ω | 暂无 | |
| 3.4 3.4 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 4 Vds:198V Rds Vgs=10V Typ:8320mΩ | 暂无 | |
| 2.9 2.9 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 3.7 Vds:251V Rds Vgs=10V Typ:7360mΩ | 暂无 | |
| 4.5 4.5 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 6 Vds:110V Rds Vgs=10V Typ:6215mΩ | 暂无 | |
| 1.25 1.25 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 1.45 Vds:360V Rds Vgs=10V Typ:14200mΩ | 暂无 | |
| 2 2 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 稳压二极管 Zener | 量产 | 0.05 Vds:15230V Rds Vgs=10V Typ:78mΩ | 暂无 | |
| 334 334 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 357 Vds:235V Rds Vgs=10V Typ:15N10mΩ | 暂无 | |
| 11475 11475 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 1496 Vds:19N10V Rds Vgs=10V Typ:PDFN5x6-8LmΩ | 暂无 | |
| 31 31 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 1.7 Vds:80N06V Rds Vgs=10V Typ:PDFN5X6-8LmΩ | 暂无 | |
| 13 13 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 0.9 Vds:54N06V Rds Vgs=10V Typ:TO-220mΩ | 暂无 | |
| 190 190 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 1.5 Vds:27NE8T5V Rds Vgs=10V Typ:TO-263mΩ | 暂无 | |
| 59 59 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 1 Vds:45NE8V Rds Vgs=10V Typ:TO-263mΩ | 暂无 | |
| 46 46 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 肖特基二极管 SKY | 量产 | 210 Vds:45NE8V Rds Vgs=10V Typ:TO-263-6LmΩ | 暂无 | |
| 43 43 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 1.8 Vds:27NE8T6V Rds Vgs=10V Typ:TO-263-6LmΩ | 暂无 | |
| 45 45 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 肖特基二极管 SKY | 量产 | / Vds:20N10V Rds Vgs=10V Typ:TO-263-6LmΩ | 暂无 | |
| 90 90 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 2.7 Vds:15N10V Rds Vgs=10V Typ:TO-263-6LmΩ | 暂无 | |
| 24.3 24.3 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 1.57 Vds:29N15V Rds Vgs=10V Typ:TO-263-6LmΩ | 暂无 | |
| 50 50 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 开关二极管 Switching | 量产 | 2 Vds:25N10V Rds Vgs=10V Typ:TO-252mΩ | 暂无 | |
| 310 310 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 1.5 Vds:27N10T6V Rds Vgs=10V Typ:TO-220mΩ | 暂无 | |
| 103 103 | Salltech萨瑞微 | 传感器与无源器件 | 屏蔽栅沟槽 SGT MOSFET | 量产 | 1.7 Vds:46N10V Rds Vgs=10V Typ:TO-263mΩ | 暂无 |